碳化硅正成為冉冉升起的新星 第三代半導體概念股有哪些？

　　多名業(yè)內人士透露，LG集團旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴大其半導體業(yè)務(wù)，重點(diǎn)押注碳化硅PMIC以及MCU。硅芯片公司此前更常以其驅動(dòng)IC產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。此次大動(dòng)作轉向碳化硅芯片領(lǐng)域，不僅透露了其對從LG集團分拆后的發(fā)展規劃，更是從側面印證了碳化硅正在成為汽車(chē)領(lǐng)域冉冉升起的新星。此外，特斯拉、比亞迪、豐田、大眾等一線(xiàn)汽車(chē)廠(chǎng)商均開(kāi)始大力布局碳化硅。

　　機構稱(chēng)，當前功率器件仍以碳基為主，但碳化硅基器件低能量損耗、耐高壓、耐高溫等優(yōu)良特性更適合功率器件使用，漸有取代碳基器件之勢。碳化硅基MOSFET相較于硅基MOSFET擁有高度穩定的晶體結構，工作溫度可達 600 ℃;擊穿場(chǎng)強是硅的十倍多，因此阻斷電壓更高;導通損耗比硅器件小很多，而且隨溫度變化很小;熱導系數幾乎是硅材料的2.5倍，飽和電子漂移率是硅的2倍，所以能在更高的頻率下工作。正是基于這些特性，碳化硅終端市場(chǎng)主要為新能源車(chē)以及光伏服務(wù)，尤其在新能源車(chē)的新能源車(chē)OBC、DC/DC、逆變器、充電樁，及光伏逆變器都需要大量使用功率器件。

　　上市公司中，揚杰科技積極推進(jìn)IGBT新模塊產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)程，成功開(kāi)發(fā)50A/75A/100A-1200V半橋規格的IGBT，同時(shí)完成了高壓碳化硅產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)設計，已經(jīng)推出多款6寸高壓MOSFET與8寸中低壓MOSFET產(chǎn)品。

　　三安光電子公司三安集成已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造，目前多家客戶(hù)處于樣品測試階段。

　　關(guān)聯(lián)個(gè)股

　　揚杰科技、三安光電