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量子反�；魻栃氖疽鈭D，拓撲非平庸的能帶結構產(chǎn)生具有手征性的邊緣態(tài)，從而導致量子反�；魻栃�2012年10月，課題組終于發(fā)現在一定的外加柵極電壓范圍內，此材料在零磁場(chǎng)中的反�；魻栯娮柽_到了量子霍爾效應的特征值h/e2~25800歐姆——世界難題得以攻克。薛其坤團隊經(jīng)過(guò)近4年的研究，生長(cháng)測量了1000多個(gè)樣品。利用分子束外延方法，生長(cháng)出了高質(zhì)量的Cr摻雜（Bi，Sb）2Te3拓撲絕緣體磁性薄膜，并在極低溫輸運測量裝置上成功觀(guān)測到了量子反�；魻栃�。量子反�；魻栃膬r(jià)值在于材料應用，以造出低功耗的電子器件。
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