EPC四項涉訴專(zhuān)利進(jìn)入無(wú)效審查階段 英諾賽科初戰告捷

　　2024年7月5日—英諾賽科，一家致力于打造高性能、高性?xún)r(jià)比硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 功率半導體解決方案的全球能源生態(tài)系統公司，在 ITC 的初裁中徹底駁回了 宜普（EPC） 公司基于其508 專(zhuān)利的所有請求。判決裁定英諾賽科在508專(zhuān)利的權利請求（主張的唯一權利請求）中不存在侵權行為。這是英諾賽科在美國國際貿易會(huì )（ITC）與EPC的爭議中取得的巨大成功。

　　根據 ITC 的初步裁定，首席行法官認為 英諾賽科對EPC的508 專(zhuān)利不存在侵權行為，該專(zhuān)利涉及增強型 GaN 晶體管的形成方法。這意味著(zhù)英諾賽科 完全成功地戰勝了 EPC 基于其 508 專(zhuān)利提出的主張。

　　ITC法官裁定英諾賽科對EPC的294 專(zhuān)利存在侵權行為。英諾賽科不同意行法官的，原因是EPC的294 專(zhuān)利是無(wú)效的。事實(shí)上，美國專(zhuān)利商標（“USPTAB”）發(fā)起了一項針對294專(zhuān)利的多方復審程序，以四個(gè)不同的理由質(zhì)疑 294 專(zhuān)利的所有權利要求，并同意英諾賽科的無(wú)效論點(diǎn)。美國專(zhuān)利商標針對294專(zhuān)利的多方復審無(wú)效將于 2025 年 3 月。

　　事實(shí)上，EPC 主張的 508專(zhuān)利和294專(zhuān)利目前都正在接受美國專(zhuān)利商標的無(wú)效。294 專(zhuān)利的權利要求 1至12 和 508 專(zhuān)利的權利要求 1至5 被高度質(zhì)疑來(lái)自于公開(kāi)且被業(yè)界熟知的現有技術(shù)。英諾賽科 還向 美國專(zhuān)利商標質(zhì)疑了另外兩項 EPC的 專(zhuān)利，EPC 此前已向 ITC 主張這些專(zhuān)利，但后來(lái)撤回其主張。雖然 EPC 從 ITC 撤回了該兩項專(zhuān)利主張，但英諾賽科仍在美國專(zhuān)利商標繼續對這些專(zhuān)利提出無(wú)效質(zhì)疑。對于 EPC 最初主張的所有四項 EPC 專(zhuān)利，美國專(zhuān)利商標認為：“ 英諾賽科很有可能在其針對EPC專(zhuān)利的無(wú)效請求中獲得勝訴”。通過(guò)初步，英諾賽科在美國專(zhuān)利商標的多方復審無(wú)效程序中取得了 4：4 全勝的完美戰績(jì)。

　　ITC 及USPTAB的初步裁定進(jìn)一步證實(shí)了 EPC 對英諾賽科的是錯誤及荒謬的。EPC在對英諾賽科的無(wú)理攻擊中逐漸陷入被動(dòng)面。在針對其所有四項專(zhuān)利的無(wú)效立案中，美國專(zhuān)利商標的三名法官一致同意英諾賽科的觀(guān)點(diǎn)。在所有四項中，英諾賽科都闡明了 EPC 專(zhuān)利無(wú)效的多種原因及可證實(shí)其無(wú)效性的充分論點(diǎn)，對此，美國專(zhuān)利商標完全認可并同意英諾賽科的觀(guān)點(diǎn)。后續，英諾賽科將向美國專(zhuān)利商標提供更新的補充信息及材料，美國商標將根據這些補充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出專(zhuān)利是否無(wú)效的最終裁定。

　　對于ITC在 294專(zhuān)利的初步裁定，英諾賽科將在7月19日前向ITC復審會(huì )提出上訴。本次的最終裁定日期為 2024 年 11 月 5 日。

　　英諾賽科有信心在與EPC的爭議中取得徹底勝利。