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OPPO Find X8發(fā)布,英諾賽科為其注入AllGaN黑科技

2024-10-25 17:03 互聯(lián)網(wǎng)

  10月24日,全球領(lǐng)先的智能終端制造商O(píng)PPO了最新的旗艦手機 Find X8/X8 pro,主打輕薄直屏和影像旗艦,天璣9400處理器與潮汐引擎的超強配置,配合冰川電池與極速充電技術(shù),能夠為用戶(hù)帶來(lái)流暢的操作體驗和持久的續航表現。

  據了解,OPPO 此次的Find X8/X8 pro系列手機采用了英諾賽科全鏈路氮化鎵(AllGaN)技術(shù),從電源側的快速充電(80W超級閃充和50W無(wú)線(xiàn)充)到手機內部主板的充電過(guò)壓保護(OVP),均采用了英諾賽科氮化鎵。

  據悉,英諾賽科是全球功率半導體革命的者,也是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈商業(yè)模式,并在全球范圍內首次實(shí)現了先進(jìn)的8英寸氮化鎵量產(chǎn)工藝,是全球氮化鎵行業(yè)的龍頭企業(yè),于2023-2024年,連續2年入選“胡潤全球獨角獸榜”。

  英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應用場(chǎng)景,產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V,涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組,并為客戶(hù)提供全氮化鎵解決方案。成立至今,英諾賽科擁有近700項專(zhuān)利及專(zhuān)利申請,產(chǎn)品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車(chē)電子及數據中心等前沿領(lǐng)域。

  全鏈路氮化鎵(AllGaN)技術(shù)

  第三代半導體氮化鎵材料具備高能效、高頻率的特性,能夠打造體積更小、充電更快且安全性更高的產(chǎn)品。

  OPPO 在Find X8/X8 pro系列手機主板充電過(guò)壓保護和50W無(wú)線(xiàn)充產(chǎn)品中,采用了英諾賽科40V雙向導通芯片VGaN,一顆替代兩顆背靠背的 Si MOS,簡(jiǎn)化了內部空間,使產(chǎn)品設計更加輕薄。同時(shí),VGaN 具備雙向導通或關(guān)斷的特性,能在手機充電過(guò)程中對電池進(jìn)行主動(dòng)保護,增強了安全性和使用壽命。50W無(wú)線(xiàn)充更是滿(mǎn)足了用戶(hù)隨時(shí)隨地快速充電的需求。

  充電側的超級閃充則采用了英諾賽科高壓GaN,該芯片采用TO-252 封裝,阻抗更低,散熱更強,效率更高。根據 OPPO 數據對比,采用英諾賽科高壓 GaN 的80W 超級閃充與此前標配的80W適配器相比,體積減小約18%,隨身攜帶更方便。

  全球領(lǐng)先的智能終端制造商選擇與英諾賽科長(cháng)期深度合作,體現了其對創(chuàng )新技術(shù)和產(chǎn)品性能的信心和決心。據了解,該廠(chǎng)商已有多個(gè)系列產(chǎn)品(包括 Find X7/X8/Ultra,Realme GT 系列,一加 Ace 系列,以及 50W~150W 快充)的主板和充電器均采用了英諾賽科 AllGaN 技術(shù),實(shí)現了產(chǎn)品性能與競爭力的領(lǐng)先。

  氮化鎵賦能未來(lái),共促行業(yè)創(chuàng )新

  氮化鎵材料以其高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力及低導通電阻等卓越特性,正逐步改變功率半導體行業(yè)格。機構,2023年至2028年間,全球氮化鎵功率半導體市場(chǎng)規模將實(shí)現指數級增長(cháng),復合年增長(cháng)率高達98.5%,市場(chǎng)潛力巨大。

  作為全球功率半導體革命的先驅?zhuān)⒅Z賽科持續引領(lǐng)氮化鎵功率半導體行業(yè)進(jìn)入加速發(fā)展階段,弗若斯特沙利文預計至2028年,全球市場(chǎng)規模將達到501.4億元人民幣。

  占據優(yōu)勢賽道,據悉,英諾賽科最近三年業(yè)務(wù)高速增長(cháng),收入由2021年的6821.5萬(wàn)元(人民幣,下同)增加至2023年的5.9億元,2021年-2023年,收入復合年增長(cháng)率高達194.8%。

  一方面全球氮化鎵下游應用進(jìn)入爆發(fā)期,需求端強力拉動(dòng),另一方面得益于公司長(cháng)期富有遠見(jiàn)的布,英諾賽科采用IDM模式,在產(chǎn)品設計、工藝制造、測試及下游應用等方面持續大量投入,確立了獨特且無(wú)可比擬的技術(shù)領(lǐng)先地位及綜合運營(yíng)優(yōu)勢,能夠有效滿(mǎn)足市場(chǎng)強勁需求。

  作為第三代半導體氮化鎵革命的者,未來(lái),英諾賽科將持續深耕,期待以更加卓越的技術(shù),助力更多行業(yè)廠(chǎng)商,打造更極致更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,共同推動(dòng)行業(yè)創(chuàng )新及應用。

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